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D882R-BP

更新时间: 2024-09-24 19:44:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 155K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-126, 3 PIN

D882R-BP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:PLASTIC, TO-126, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.27最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

D882R-BP 数据手册

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