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CZTA46TR

更新时间： 2024-11-15 05:22:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 528K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZTA46TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.44外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz

CZTA46TR 数据手册

 浏览型号CZTA46TR的Datasheet PDF文件第2页 
CZTA46  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
EXTREMELY HIGH VOLTAGE  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA46 type is  
a surface mount epoxy molded NPN silicon planar  
epitaxial transistors designed for extremely high voltage  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
450  
450  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
500  
mA  
W
C
P
2.0  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
62.5  
°C  
J, stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=400V  
=4.0V  
100  
100  
nA  
nA  
V
CBO  
EBO  
CB  
BE  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
450  
450  
6.0  
610  
490  
8.7  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
E
V
EBO  
V
V
V
V
I =1.0mA, I =0.1mA  
0.20  
0.30  
0.50  
1.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.15  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
40  
50  
45  
25  
20  
108  
110  
95  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
200  
FE  
C
=10V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =100mA  
35  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
130  
pF  
C
R4 (1-March 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
CZTA64BKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CZTA64LEADFREE CENTRAL

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