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CZTA94 PDF预览

CZTA94

更新时间： 2024-11-14 03:27:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
SURFACE MOUNT PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR

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CZTA94 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

CZTA94 数据手册

 浏览型号CZTA94的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CZTA94  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
PNP HIGH VOLTAGE  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA94  
type is a surface mount epoxy molded PNP  
silicon planar epitaxial transistors designed for  
extremely high voltage applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
400  
400  
6.0  
300  
2.0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
mA  
W
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=350V  
=350V  
=4.0V  
100  
500  
100  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CE  
BE  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
400  
400  
400  
6.0  
CBO  
CES  
CEO  
C
I =100µA  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
EBO  
E
V
V
V
V
I =1.0mA, I =0.1mA  
0.40  
0.50  
0.75  
0.75  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
B
B
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
V
V
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
h
h
h
h
V
=10V, I =1.0mA  
40  
50  
45  
20  
20  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
200  
FE  
FE  
FE  
C
=10V, I =50mA  
C
=10V, I =100mA  
C
f
=10V, I =10mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
130  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
R2 (17-June 2004)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZTA94_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR
CZTA94BK CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
CZTA94BKLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CZTA94LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
CZTA94TR CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
CZTA94TR13PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CZTA94TRLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CZTA96 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT PNP SILICON EXTREMELY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
CZTA96_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE PNP SILICON TRANSISTOR
CZTA96BK CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy

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