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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> CYT5551HCD
CYT5551HCD PDF预览

CYT5551HCD

更新时间： 2024-11-06 03:27:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED NPN HIGH CURRENT SILICON TRANSISTORS

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CYT5551HCD 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CYT5551HCD 数据手册

 浏览型号CYT5551HCD的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CYT5551HCD  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
DUAL, ISOLATED NPN HIGH CURRENT  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT5551HCD  
type consists of two (2) isolated NPN high current  
silicon transistors packaged in an epoxy molded  
SOT-228 surface mount case. Manufactured by the  
epitaxial planar process, this SUPERmini™ device  
is ideal for high current applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-228 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
180  
160  
6.0  
1.0  
2.0  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
A
C
Power Dissipation  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J
-65 to +150  
62.5  
°C  
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CB  
CB  
BE  
I
=120V, T =100ºC  
A
=4.0V  
50  
CBO  
I
50  
EBO  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
C
BV  
I =1.0mA  
C
V
CEO  
BV  
I =10µA  
V
EBO  
E
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =10mA, I =1.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
30  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
250  
FE  
h
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
h
=10V, I =1.0A  
C
10  
FE  
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
15  
ob  
R1 (11-August 2005)  
12

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