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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CYT5554D
CYT5554D PDF预览

CYT5554D

更新时间： 2024-11-24 09:46:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
2页 543K
描述
SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE NPN/PNP SILICON TRANSISTORS

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CYT5554D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：220 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CYT5554D 数据手册

 浏览型号CYT5554D的Datasheet PDF文件第2页 
CYT5554D  
SURFACE MOUNT  
DUAL, ISOLATED  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY  
HIGH VOLTAGE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT5554D type  
consists of one (1) NPN high voltage silicon transistor  
and one (1) complementary PNP high voltage silicon  
transistor packaged in an epoxy molded SOT-228  
surface mount case. Manufactured by the epitaxial  
planar process, this SUPERmini™ device is ideal for  
high voltage applications.  
NPN/PNP SILICON TRANSISTORS  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-228 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
NPN (Q1)  
250  
PNP (Q2)  
250  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
220  
220  
V
6.0  
7.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
600  
mA  
W
C
P
2.0  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
62.5  
°C  
J, stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=120V  
-
-
50  
-
-
50  
CBO  
CBO  
EBO  
EBO  
CB  
CB  
BE  
BE  
=120V, T =100°C  
50  
50  
A
=3.0V  
=4.0V  
-
-
-
50  
-
50  
-
-
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
250  
220  
6.0  
-
-
250  
220  
7.0  
-
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
-
-
V
C
I =10μA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
75  
100  
1.00  
1.00  
-
100  
150  
1.00  
1.00  
-
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
120  
120  
75  
25  
100  
100  
75  
25  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
300  
-
300  
-
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =150mA  
-
-
FE  
C
R2 (13-August 2010)  
12

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