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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CYT5551HCDLEADFREE
CYT5551HCDLEADFREE PDF预览

CYT5551HCDLEADFREE

更新时间： 2024-11-05 13:07:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, ROHS COMPLIANT PACKAGE-8

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CYT5551HCDLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CYT5551HCDLEADFREE 数据手册

 浏览型号CYT5551HCDLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CYT5551D  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
DUAL, ISOLATED NPN  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CYT5551D  
type consists of two (2) isolated NPN silicon  
transistors packaged in an epoxy molded SOT-228  
surface mount case. Manufactured by the epitaxial  
planar process, this SUPERmini™ device is ideal  
for high voltage amplifier applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-228 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
180  
160  
6.0  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
600  
2.0  
mA  
W
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J
-65 to +150  
62.5  
°C  
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CB  
CB  
BE  
I
=120V, T =100ºC  
A
=4.0V  
50  
CBO  
I
50  
EBO  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
C
BV  
I =1.0mA  
C
V
CEO  
BV  
I =10µA  
V
EBO  
E
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =10mA, I =1.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
V
BE(SAT)  
C
B
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
CE  
C
h
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
250  
FE  
h
=5.0V, I =50mA  
30  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
C
100  
300  
6.0  
20  
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
ob  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
pF  
ib  
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
200  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =200µA, RS=10Ω  
C
f=10Hz to 15.7kHz  
8.0  
dB  
R1 (11-August 2005)  
12

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