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CYM1830HD-35MB

更新时间: 2024-09-14 21:19:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 146K
描述
SRAM Module, 64KX32, 35ns, CMOS

CYM1830HD-35MB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-T60JESD-609代码:e0
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX32
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP60,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)最大待机电流:0.16 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.88 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CYM1830HD-35MB 数据手册

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