是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.211 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY9C62256-70PXI | CYPRESS |
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Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28 | |
CY9C62256-70SC | CYPRESS |
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32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C62256-70SI | CYPRESS |
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32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C62256-70SNC | CYPRESS |
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32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C62256-70SNI | CYPRESS |
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32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C62256-70SNXC | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY9C62256-70SNXI | CYPRESS |
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Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 | |
CY9C62256-70SXI | CYPRESS |
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Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, MO-119, SOIC-28 | |
CY9C62256-70ZC | CYPRESS |
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32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C62256-70ZI | CYPRESS |
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32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM |