是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, DIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | 长度: | 37.211 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00015 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY9C6264-70PI | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C6264-70SC | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C6264-70SI | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C6264-70SNC | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C6264-70SNI | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C6264-70SXI | CYPRESS |
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Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, MO-119, SOIC-28 | |
CY9C6264-70ZC | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CY9C6264-70ZI | CYPRESS |
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8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM | |
CYAC1126-40LQXI | INFINEON |
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EZ-PD? ACG1F One-Port USB-C Controller | |
CYAC1126-40LQXIT | INFINEON |
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EZ-PD? ACG1F One-Port USB-C Controller |