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CY9C62256-70PXI PDF预览

CY9C62256-70PXI

更新时间： 2024-09-16 21:20:39
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 215K
描述
Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, DIP-28

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CY9C62256-70PXI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：28
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.84JESD-30 代码：R-PDIP-T28
长度：37.211 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

CY9C62256-70PXI 数据手册

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CY9C62256  
PRELIMINARY  
32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM  
Features  
Functional Description  
• 100% Form, Fit, Function - compatible with 32K × 8,  
micropower SRAM (CY62256).  
The CY9C62256 is a high-performance CMOS nonvolatile  
RAM employing an advanced magnetic RAM (MRAM)  
process. An MRAM is nonvolatile memory that operates as a  
fast read and write RAM. It provides data retention for more  
than ten years while eliminating the reliability concerns,  
functional disadvantages and system design complexities of  
battery-backed SRAM, EEPROM, Flash and FeRAM. Its fast  
writes and high write cycle endurance makes it superior to  
other types of nonvolatile memory.  
— Fast Read and Write access: 70 ns  
— Voltage range: 4.5V–5.5V operation  
— Low active power: 330 mW (max.)  
— Low standby power, CMOS: 495 µW (max.)  
— Data retention current: 0 µA at VCC = 0V  
— Easy memory expansion with CE and OE features  
— TTL-compatible inputs and outputs  
— Automatic power-down when deselected  
The CY9C62256 operates very similarly to SRAM devices.  
Memory read and write cycles require equal times. The MRAM  
memory is nonvolatile due to its unique magnetic process.  
Unlike BBSRAM, the CY9C62256 is truly a monolithic nonvol-  
atile memory. It provides the same functional benefits of a fast  
write without the serious disadvantages associated with  
modules and batteries or hybrid memory solutions.  
• Replaces 32K × 8 Battery Backed (BB)SRAM, SRAM,  
EEPROM, FeRAM or Flash memory  
— Data is automatically Write protected during power  
loss  
— Write Cycles Endurance: > 1015 Cycles  
These capabilities make the CY9C62256 ideal for nonvolatile  
memory applications requiring frequent or rapid writes in a  
bytewide environment.  
— Data Retention: > 10 Years  
The CY9C62256 is offered in both commercial and industrial  
temperature ranges.  
— Shielded from external magnetic fields  
— Extra 64 Bytes for Device Identification and tracking  
— Optional industrial temperature range: –40°C to  
+85°C  
• JEDEC STD 28-pin DIP (600-mil), 28-pin (300-mil) SOIC  
and TSOP packages  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOIC/DIP  
Top View  
A
5
28  
V
CC  
1
A
27 WE  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
6
A
26  
25  
24  
A
3
A
2
7
4
A
A
8
A
9
A
10  
A
11  
A
12  
A
13  
A
14  
23  
22  
A
OE  
1
A
CE  
I/O  
I/O  
I/O  
21  
20  
19  
18  
17  
0
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
INPUTBUFFER  
7
6
5
A
A
A
1
2
3
4
5
I/O  
I/O  
I/O  
11  
10  
0
1
2
16 I/O  
9
4
3
Silicon Sig.  
I/O  
GND  
15  
A
8
7
6
A
512x512  
ARRAY  
A
21  
20  
A
CE  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
OE  
22  
23  
0
A
A
A
3
2
A
1
19  
18  
17  
16  
A
24  
25  
26  
27  
28  
1
7
6
5
4
3
2
1
A
3
A
4
TSOP I  
Top View  
(not to scale)  
WE  
CE  
POWER  
DOWN &  
WRITE  
6
7
15  
14  
13  
V
WE  
CC  
COLUMN  
DECODER  
GND  
I/O  
A
5
PROTECT  
A
2
2
3
6
I/O  
OE  
12  
11  
I/O  
1
A
7
I/O  
A
4
0
8
A
9
10  
9
A
13  
5
14  
A
A
10  
A
11  
6
7
8
A
12  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-15001 Rev. *C  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
,
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised March 22, 2004  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY9C62256-70SC CYPRESS

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 		32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM
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 		32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM
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 		32K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM
CY9C62256-70SNXC CYPRESS

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 		暂无描述
CY9C62256-70SNXI CYPRESS

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 		Memory Circuit, 32KX8, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CY9C62256-70SXI CYPRESS

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 		8K x 8 Magnetic Nonvolatile CMOS RAM

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