是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 45 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.338 mm |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.715 mm |
最大待机电流: | 0.1 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C254-45DI | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C254-45DMB | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C254-45PI | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY7C254-45WC | CYPRESS |
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UVPROM, 16KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C2544KV18 | CYPRESS |
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72-Mbit QDR®II SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C2544KV18-300BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR®II SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C2544KV18-333BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR®II SRAM 2-Word Burst Architectur | |
CY7C254-55DC | ETC |
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x8 EPROM | |
CY7C254-55DI | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C254-55DMB | ETC |
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x8 EPROM |