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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.600 INCH, CERDIP-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.87 | 最长访问时间： | 65 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.338 mm | 内存密度： | 131072 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 最大待机电流： | 0.12 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C254-65WI | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |
|
| CY7C2555KV18 | CYPRESS |
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72-Mbit QDR®II SRAM 2-Word Burst Architectur |
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| CY7C2561KV18 | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-400BZC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-400BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-400BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-400BZXI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-450BZC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-450BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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| CY7C2561KV18-450BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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