是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 0.37 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | 长度: | 15 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | QDR SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C2561KV18-500BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-500BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-500BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-500BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-550BZC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-550BZI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-550BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2561KV18-550BZXI | CYPRESS |
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72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
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CY7C2562XV18 | CYPRESS |
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72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM 2-Word Burst Arc |
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CY7C2562XV18-366BZXC | CYPRESS |
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72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM 2-Word Burst Arc |
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