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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | LCC-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.61 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | JESD-30 代码： | R-XQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 131072 bit | 内存集成电路类型： | UVPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 2.794 mm | 最大待机电流： | 0.12 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C254-65DC | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| CY7C254-65DMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| CY7C254-65LMB | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 16KX8, 65ns, CMOS, LCC-32 |
|
| CY7C254-65QMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| CY7C254-65WI | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |
|
| CY7C2555KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR®II SRAM 2-Word Burst Architectur |
|
| CY7C2561KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
|
| CY7C2561KV18-400BZC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
|
| CY7C2561KV18-400BZI | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
|
| CY7C2561KV18-400BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture |
|
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