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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.6 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C162-35LC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, LCC-28 |
|
| CY7C162-35LMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28 |
|
| CY7C162-35PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 |
|
| CY7C162-35VC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| CY7C162-35VCR | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C162-35VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C1623KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture |
|
| CY7C1623KV18-250BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture |
|
| CY7C1623KV18-333BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture |
|
| CY7C162-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP28, DIP-28 |
|
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