是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QLCC | 包装说明: | QCCN, LCC28,.35X.55 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-XQCC-N28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16KX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC28,.35X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.905 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C162-35LMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28 | |
CY7C162-35PC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 | |
CY7C162-35VC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C162-35VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C162-35VCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C1623KV18 | CYPRESS |
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144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture | |
CY7C1623KV18-250BZXC | CYPRESS |
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144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture | |
CY7C1623KV18-333BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture | |
CY7C162-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP28, DIP-28 | |
CY7C162-45LC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, LCC-28 |