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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| 长度： | 17.907 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.556 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C162-35VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| CY7C1623KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture |
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| CY7C1623KV18-250BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture |
|
| CY7C1623KV18-333BZXC | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture |
|
| CY7C162-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, CDIP28, DIP-28 |
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| CY7C162-45LC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, LCC-28 |
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| CY7C162-45PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDIP28, DIP-28 |
|
| CY7C162-45VC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDSO28, DSO-28 |
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| CY7C162-45VCR | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 45ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C1625KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Archite |
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