是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, BGA165,11X15,40 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.61 |
最长访问时间: | 6.5 ns | 其他特性: | FLOW THROUGH ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大待机电流: | 0.04 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1363D | CYPRESS |
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9-Mbit (512 K x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C1363D-133AXI | CYPRESS |
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9-Mbit (512 K x 18) Flow-Through SRAM | |
CY7C136-45JC | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-45JCR | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY7C136-45JCT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-45JI | CYPRESS |
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2Kx8 Dual-Port Static RAM | |
CY7C136-45JIR | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-45JIT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C136-45JXC | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LEAD FREE, LCC-52 | |
CY7C136-45LC | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |