是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | QCCJ, LDCC52,.8SQ | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 19.1262 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC52,.8SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.305 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 19.1262 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C131BV18 | CYPRESS |
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RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata | |
CY7C131CV18 | CYPRESS |
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RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata | |
CY7C131E | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E_13 | CYPRESS |
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1 K / 2 K x 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E-15NXI | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E-25JXC | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E-25NXC | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E-55JXC | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E-55JXI | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM | |
CY7C131E-55NXC | CYPRESS |
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1 K / 2 K Ã 8 Dual-port Static RAM |