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CY7C128A-55LC

更新时间： 2024-12-01 20:10:07

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	548K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC24, CERAMIC, LCC-24

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CY7C128A-55LC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CERAMIC, LCC-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N24	JESD-609代码：	e0
长度：	10.16 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC24,.3X.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.9812 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C128A-55LMB	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC24, CERAMIC, LCC-24
CY7C128A-55VCR	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOJ-24
CY7C129	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C129DV18*	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1292DV18	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1292DV18_06	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZC	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZI	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZXC	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZXI	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur