Datasheet > CY7C128A-55LMB

CY7C128A-55LMB

更新时间： 2024-12-01 20:10:07

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	548K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CQCC24, CERAMIC, LCC-24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY7C128A-55LMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CERAMIC, LCC-24
针数：	24	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N24
JESD-609代码：	e0	长度：	10.16 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC24,.3X.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	1.9812 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C128A-55VCR	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOJ-24
CY7C129	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C129DV18*	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1292DV18	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1292DV18_06	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZC	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZI	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZXC	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-167BZXI	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur
CY7C1292DV18-200BZC	CYPRESS	获取价格	9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur