是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 165 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1292DV18-300BZXI | CYPRESS |
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QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165 |
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CY7C1294DV18 | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-167BZC | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-167BZI | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-167BZXC | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-167BZXI | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-200BZC | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-200BZI | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-200BZXC | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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CY7C1294DV18-200BZXI | CYPRESS |
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9-Mbit QDR- II⑩ SRAM 2-Word Burst Architectur |
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