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CY7C128A-35LMB PDF预览

CY7C128A-35LMB

更新时间： 2024-11-30 00:01:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 221K
描述
2K x 8 Static RAM

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CY7C128A-35LMB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：LCC
包装说明：CERAMIC, LCC-24针数：24
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.65
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CQCC-N24JESD-609代码：e0
长度：10.16 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：2KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC24,.3X.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：1.9812 mm
最大待机电流：0.02 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

CY7C128A-35LMB 数据手册

 浏览型号CY7C128A-35LMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C128A-35LMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C128A-35LMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C128A-35LMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C128A-35LMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C128A-35LMB的Datasheet PDF文件第7页 
1CY7C128A  
CY7C128A  
2K x 8 Static RAM  
Features  
Functional Description  
The CY7C128A is a high-performance CMOS static RAM or-  
ganized as 2048 words by 8 bits. Easy memory expansion is  
provided by an active LOW chip enable (CE), and active LOW  
output enable (OE) and three-state drivers. The CY7C128A  
has an automatic power-down feature, reducing the power  
consumption by 83% when deselected.  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
• High speed  
— 15 ns  
• Low active power  
— 440 mW (commercial)  
— 550 mW (military)  
Writing to the device is accomplished when the chip enable  
(CE) and write enable (WE) inputs are both LOW.  
Data on the eight I/O pins (I/O through I/O ) is written into the  
• Low standby power  
— 110 mW  
0
7
memory location specified on the address pins (A through  
0
A
).  
10  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Capable of withstanding greater than 2001V electro-  
static discharge  
Reading the device is accomplished by taking chip enable  
(CE) and output enable (OE) LOW while write enable (WE) remains  
HIGH. Under these conditions, the contents of the memory location  
specified on the address pins will appear on the eight I/O pins.  
• V of 2.2V  
IH  
The I/O pins remain in high-impedance state when chip enable  
(CE) or output enable (OE) is HIGH or write enable (WE) is LOW.  
The CY7C128A utilizes a die coat to insure alpha immunity.  
Pin  
Logic Block Diagram  
Configurations  
DIP/SOJ  
Top View  
A
V
CC  
1
24  
23  
22  
7
A
A
A
A
8
A
9
2
3
4
5
6
7
8
9
6
5
4
WE  
OE  
21  
20  
19  
18  
17  
A
A
2
3
A
10  
7C128A  
A
1
CE  
I/O  
A
0
7
I/O  
I/O  
0
I/O  
6
16  
15  
14  
13  
0
INPUT BUFFER  
I/O  
I/O  
10  
11  
12  
I/O  
I/O  
5
4
1
2
I/O  
1
A
10  
GND  
I/O  
3
A
9
I/O  
2
C128A–2  
A
8
LCC  
Top View  
A
7
I/O  
3
128 x 16 x 8  
ARRAY  
A
6
I/O  
4
A
5
A
4
3
2 1 2423  
22  
I/O  
5
4
A
4
A
9
5
6
7
8
9
10  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
A
2
WE  
OE  
3
A
CE  
WE  
I/O  
6
POWER  
DOWN  
A
A
10  
7C128A  
1
COLUMN  
DECODER  
A
0
CE  
I/O  
0
I/O  
7
I/O  
7
OE  
I/O  
1
I/O  
6
11 12 13 14 15  
A
3
A
2
A
1
A
0
C128A–3  
C128A–1  
Selection Guide  
7C128A–15 7C128A–20 7C128A–25  
7C128A–35  
7C128A–45  
Maximum Access Time (ns)  
15  
20  
25  
100  
125  
20  
35  
100  
100  
20  
45  
Commercial  
Military  
120  
100  
Maximum Operating  
Current (mA)  
125  
100  
20  
Commercial  
Military  
40/40  
40/20  
40/20  
Maximum Standby  
Current (mA)  
40  
20  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
December 1988 – Revised December 1992  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C128A-35PC CYPRESS

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