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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C128A-45VC
CY7C128A-45VC PDF预览

CY7C128A-45VC

更新时间： 2024-02-24 15:08:57
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
11页 205K
描述
2K x 8 Static RAM

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CY7C128A-45VC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
最长访问时间：45 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码：R-PDSO-J24长度：15.367 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.5057 mmBase Number Matches：1

CY7C128A-45VC 数据手册

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28A  
CY7C128A  
2K x 8 Static RAM  
provided by an active LOW Chip Enable (CE), and active LOW  
Output Enable (OE) and three-state drivers. The CY7C128A  
has an automatic power-down feature, reducing the power  
consumption by 83% when deselected.  
Features  
• Automatic power-down when deselected  
• CMOS for optimum speed/power  
• High speed  
Writing to the device is accomplished when the Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs are both LOW.  
— 15 ns  
Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is written into the  
memory location specified on the address pins (A0 through  
A10).  
• Low active power  
— 660 mW (commercial)  
— 688 mW (military—20 ns)  
• Low standby power  
Reading the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Output Enable (OE) LOW while Write Enable (WE)  
remains HIGH. Under these conditions, the contents of the  
memory location specified on the address pins will appear on  
the eight I/O pins.  
— 110 mW (20 ns)  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Capable of withstanding greater than 2001V electro-  
static discharge  
The I/O pins remain in high-impedance state when Chip En-  
able (CE) or Output Enable (OE) is HIGH or Write Enable (WE)  
is LOW.  
• VIH of 2.2V  
Functional Description  
The CY7C128A utilizes a die coat to insure alpha immunity.  
The CY7C128A is a high-performance CMOS static RAM or-  
ganized as 2048 words by 8 bits. Easy memory expansion is  
Pin  
Logic Block Diagram  
Configurations  
DIP/SOJ/SOIC  
Top View  
A
V
CC  
1
24  
23  
22  
7
A
A
A
A
8
A
9
2
3
4
5
6
7
8
9
6
5
4
WE  
OE  
21  
20  
19  
18  
17  
A
A
2
3
A
10  
7C128A  
A
1
CE  
I/O  
A
0
7
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
6
0
1
2
3
4
5
6
I/O  
0
16  
15  
14  
13  
INPUT BUFFER  
I/O  
I/O  
10  
11  
12  
I/O  
I/O  
5
1
4
2
A
10  
GND  
I/O  
3
A
9
C128A–2  
A
A
8
LCC  
Top View  
7
128 x 16 x 8  
ARRAY  
A
6
A
A
5
3
2 1 2423  
22  
4
5
6
7
8
9
A
4
A
9
WE  
OE  
10  
4
21  
20  
19  
18  
17  
16  
A
3
A
2
A
A
7C128A  
1
CE  
WE  
A
0
POWER  
DOWN  
CE  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
0
I/O  
I/O  
7
6
10  
I/O  
1
I/O  
11 12 13 14 15  
7
OE  
C128A–3  
C128A–1  
A
3
A
2
A
1
A
0
Selection Guide  
7C128A-15  
7C128A-20  
7C128A-25  
7C128A-35  
7C128A-45  
Maximum Access Time (ns)  
15  
120  
-
20  
120  
125  
20  
25  
120  
125  
20  
35  
120  
125  
20  
45  
120  
125  
20  
Maximum Operating  
Current (mA)  
Commercial  
Military  
Maximum Standby  
Current (mA)  
Commercial  
Military  
40  
-
20  
20  
20  
20  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05028 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...11

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与CY7C128A-45VC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C128A-45VCR CYPRESS

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