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Datasheet > 存储 > SRAM> CY7C0430V-133BGI
CY7C0430V-133BGI PDF预览

CY7C0430V-133BGI

更新时间： 2024-09-17 22:13:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 903K
描述
3.3V 64K x 18 Synchronous QuadPort⑩ Static RAM

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CY7C0430V-133BGI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, BGA-272针数：272
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
Is Samacsys：N最长访问时间：4.7 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B272
JESD-609代码：e0长度：27 mm
内存密度：1179648 bit内存集成电路类型：FOUR-PORT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：4
端子数量：272字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA272,20X20,50封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.46 mm
最大待机电流：0.001 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.75 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：27 mm
Base Number Matches：1

CY7C0430V-133BGI 数据手册

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30V  
PRELIMINARY  
CY7C0430V  
3.3V 64K x 18  
Synchronous QuadPort™ Static RAM  
• Counter wrap-around control  
Features  
— Internal mask register controls counter wrap-around  
• True four-ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
• Synchronous Pipelined device  
— Counter-Interrupt flags to indicate wrap-around  
• Counter readback on address lines  
• Mask register readback on address lines  
• Interrupt flags for message passing  
— 64K x 18 organization  
• Pipelined output mode allows fast 133-MHz operation  
• High Bandwidth up to 10 Gbps (133 MHz x 18 bits wide  
x 4 ports)  
• 0.25-micron CMOS for optimum speed/power  
• High-speed clock to data access 4.7 ns (max.)  
• 3.3V Low operating power  
• Master reset for all ports  
• Width and depth expansion capabilities  
• DualChipEnablesonallportsforeasydepthexpansion  
• Separate upper-byte and lower-byte controls on all  
ports  
— Active = 750mA (maximum)  
• 272-BGA package (27 mm x 27 mm 1.27 mm ball pitch)  
• Commercial and Industrial temperature ranges  
• IEEE 1149.1 JTAG boundary scan  
— Standby = 1mA (maximum)  
• BIST (Built In Self Test) controller  
Top Level Logic Block Diagram  
Port 1 Operation-Control Logic Blocks[1]  
Reset  
MRST  
Logic  
UB  
P1  
LB  
R/W  
OE  
P1  
Port-1  
Control  
Logic  
P1  
P1  
TMS  
JTAG  
TCK  
Controller  
TDO  
CE  
CE  
TDI  
0P1  
1P1  
CLKBIST  
BIST  
CLK  
P1  
18  
Port 1  
I/O  
Port 4 Logic Blocks[2]  
I/O - I/O  
0P1  
17P1  
CLK  
P1  
16  
A
–A  
0P1  
15P1  
Port 1  
Port 2  
Port 4  
Port 1  
MKLD  
CNTLD  
P1  
Counter/  
Mask Reg/  
Address  
P1  
CNTINC  
CNTRD  
P1  
RAM  
Array  
P1  
MKRD  
Decode  
P1  
P1  
P1  
CNTRST  
INT  
CNTINT  
Port 3  
P1  
Port 2 Logic Blocks[2]  
Port 3 Logic Blocks[2]  
Notes:  
1. Port 1 Control Logic Block is detailed on page 2.  
2. Port 2, Port 3, and Port 4 Logic Blocks are similar to Port 1 Logic Blocks.  
For the most recent information, visit the Cypress web site at www.cypress.com  
Cypress Semiconductor Corporation 3901 North First Street San Jose CA 95134  
•
•
•
•
408-943-2600  
November 18, 1999  
1234567...36

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与CY7C0430V-133BGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C0430V18-100BBC CYPRESS

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 		Multi-Port SRAM, 64KX20, 4.5ns, CMOS, PBGA676
CY7C0430V18-133BBC CYPRESS

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 		Multi-Port SRAM, 64KX20, 4ns, CMOS, PBGA676
CY7C04312BV CYPRESS

获取价格

 		10 Gb/s 3.3V QuadPort DSE Family
CY7C04312BV-100 CYPRESS

获取价格

 		10 Gb/s 3.3V QuadPort DSE Family
CY7C04312BV-100BGC CYPRESS

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 		10 Gb/s 3.3V QuadPort DSE Family
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