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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 45 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| 长度： | 31.623 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116SA45P | IDT |
功能相似  |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116LA45P | IDT |
功能相似 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116LA45DB | IDT |
功能相似 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY6116A-45LC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CY6116A-45LMB | CYPRESS |
获取价格 |
2K x 8 Static RAM |
|
| CY6116A-45PC | CYPRESS |
获取价格 |
2K x 8 Static RAM |
|
| CY6116A-55DC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CY6116A-55DMB | CYPRESS |
获取价格 |
2K x 8 Static RAM |
|
| CY6116A-55LC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CY6116A-55LMB | CYPRESS |
获取价格 |
2K x 8 Static RAM |
|
| CY6116A-55PC | CYPRESS |
获取价格 |
2K x 8 Static RAM |
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| CY6117-35LMB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CY6117-45LMB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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