生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.6 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XQCC-N32 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 1.905 mm |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 8.89 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY6117A-55LMB | CYPRESS |
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2K x 8 Static RAM | |
CY61256R2XXV0-25ZAC | CYPRESS |
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Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
CY61256R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
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Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
CY61257R2XXV0-25ZAC | CYPRESS |
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Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
CY61257R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
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Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
CY62126BV | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-55BAI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-55ZI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-55ZIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
CY62126BVLL-70BAI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM |