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CY62126DV30L-55ZSXE

更新时间： 2024-02-23 04:47:54

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	1029K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

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CY62126DV30L-55ZSXE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LEAD FREE, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3/e4
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1.194 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62126DV30L-55ZXI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY62126DV30L-70BVI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30L-70BVIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CY62126DV30L-70BVXI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CY62126DV30L-70ZI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY62126DV30L-70ZSI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30L-70ZXI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY62126DV30LL	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-45BVI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-45BVXI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM