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CY62126DV30LL-55BVI

更新时间： 2024-02-08 01:24:35

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	1029K
描述
64KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48

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CY62126DV30LL-55BVI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	235	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62126DV30LL-55BVIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CY62126DV30LL-55BVXI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-55BVXI	ROCHESTER	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
CY62126DV30LL-55LFXI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, 8 X 8 MM, LEAD FREE, QFN-56
CY62126DV30LL-55ZI	ROCHESTER	获取价格	64KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, TSOP2-44
CY62126DV30LL-55ZI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-55ZIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY62126DV30LL-55ZSI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-55ZSXI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY62126DV30LL-55ZXI	CYPRESS	获取价格	1-Mbit (64K x 16) Static RAM