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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | RAM ORAGANISED AS 128K X 8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 8 |
| 混合内存类型： | ROM+SRAM | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.8/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.000001 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.006 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY61256R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
获取价格 |
Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| CY61257R2XXV0-25ZAC | CYPRESS |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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| CY61257R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| CY62126BV | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
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| CY62126BVLL-55BAI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
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| CY62126BVLL-55ZI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
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| CY62126BVLL-55ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
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| CY62126BVLL-70BAI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
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| CY62126BVLL-70ZI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
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| CY62126BVLL-70ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
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