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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.8,20 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | RAM ORAGANISED AS 128K X 8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 8 |
| 混合内存类型： | ROM+SRAM | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.006 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY61257R2XXV0-25ZAC | CYPRESS |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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| CY61257R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| CY62126BV | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
|
| CY62126BVLL-55BAI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
|
| CY62126BVLL-55ZI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
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| CY62126BVLL-55ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
|
| CY62126BVLL-70BAI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
|
| CY62126BVLL-70ZI | CYPRESS |
获取价格 |
64K x 16 Static RAM |
|
| CY62126BVLL-70ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CY62126DV30 | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (64K x 16) Static RAM |
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