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CY6117A-55LMB

更新时间: 2024-02-18 10:45:47
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 455K
描述
2K x 8 Static RAM

CY6117A-55LMB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.57
最长访问时间:55 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQCC-N32
长度:13.97 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:1.905 mm最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

CY6117A-55LMB 数据手册

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