生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.57 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XQCC-N32 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 1.905 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 8.89 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY61256R2XXV0-25ZAC | CYPRESS |
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Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
CY61256R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
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Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
CY61257R2XXV0-25ZAC | CYPRESS |
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Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
CY61257R2XXV0-25ZC | CYPRESS |
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Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
CY62126BV | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-55BAI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-55ZI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-55ZIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
CY62126BVLL-70BAI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM | |
CY62126BVLL-70ZI | CYPRESS |
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64K x 16 Static RAM |