Datasheet > 存储 > EPROM> CY27H512-55HC

CY27H512-55HC

更新时间： 2024-09-16 22:50:39

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
11页	767K
描述
64K x 8 High-Speed CMOS EPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY27H512-55HC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.83
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-J32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC32,.5X.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY27H512-55HI	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 64KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-32
CY27H512-55HMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55JC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55JCR	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY27H512-55JCT	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H512-55JIR	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H512-55JIT	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H512-55LMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55PC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55PI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28