CY27H512-70LMB

更新时间： 2024-09-24 22:50:39

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
11页	767K
描述
64K x 8 High-Speed CMOS EPROM

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CY27H512-70LMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.025 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY27H512-70PC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-70PI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CY27H512-70QMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-70WC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-70WI	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 64KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
CY27H512-70WMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-70ZC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-70ZI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28
CY27LS03DMB	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 16X4, 65ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16
CY27LS03LMB	ETC	获取价格	x4 SRAM