是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY27H512-70QMB | CYPRESS |
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64K x 8 High-Speed CMOS EPROM | |
CY27H512-70WC | CYPRESS |
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64K x 8 High-Speed CMOS EPROM | |
CY27H512-70WI | CYPRESS |
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UVPROM, 64KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | |
CY27H512-70WMB | CYPRESS |
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64K x 8 High-Speed CMOS EPROM | |
CY27H512-70ZC | CYPRESS |
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64K x 8 High-Speed CMOS EPROM | |
CY27H512-70ZI | CYPRESS |
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OTP ROM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 | |
CY27LS03DMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16X4, 65ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 | |
CY27LS03LMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY27S03ADC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 | |
CY27S03ADC | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X4, 25ns, CMOS, CDIP16, 0.300 INCH, CERDIP-16 |