Datasheet > 存储 > EPROM> CY27H512-45HMB

CY27H512-45HMB

更新时间： 2024-09-16 22:18:15

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
11页	767K
描述
64K x 8 High-Speed CMOS EPROM

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY27H512-45HMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-J32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.025 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY27H512-45JC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-45JCT	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H512-45JI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H512-45JIT	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
CY27H512-45LMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-45PC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-45PI	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY27H512-45QMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-45WC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-45WI	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 64KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28