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CY27H512-45WI

更新时间： 2024-02-27 11:23:48

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
11页	767K
描述
UVPROM, 64KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

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CY27H512-45WI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.78
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.025 A	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY27H512-45WMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-45ZC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55DMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55HC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55HI	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 64KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-32
CY27H512-55HMB	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55JC	CYPRESS	获取价格	64K x 8 High-Speed CMOS EPROM
CY27H512-55JCR	CYPRESS	获取价格	暂无描述
CY27H512-55JCT	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32