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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP18,.3 |
| 针数： | 18 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22.606 mm | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY21L48-35DM | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 35ns, CMOS, CDIP18 |
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| CY21L48-35PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 35ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| CY21L48-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 45ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| CY21L48-45DM | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 45ns, CMOS, CDIP18 |
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| CY21L48-45PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 45ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| CY21L48-55DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 55ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| CY21L48-55DM | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 55ns, CMOS, CDIP18 |
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| CY21L48-55PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 55ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| CY21L49-35DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 35ns, CMOS, PDIP18, DIP-18 |
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| CY21L49-35PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 35ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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