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CUS05S40,H3F(T

更新时间: 2024-09-14 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 121K
描述
Rectifier Diode

CUS05S40,H3F(T 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 VJESD-30 代码:R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流:5 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:50 µA反向测试电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CUS05S40,H3F(T 数据手册

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CUS05S40  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
CUS05S40  
1. Applications  
High-Speed Switching  
2. Features  
(1) Small package  
(2) Low forward voltage: VF(2) = 0.56 V (typ.) (@ IF = 500mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
USC  
Start of commercial production  
2013-11  
2014-04-07  
Rev.2.0  
1

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