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CSB621Q

更新时间： 2024-11-10 20:20:03

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3页	140K
描述
Transistor

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CSB621Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	85
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CSB621Q 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSB621, CSB621A

TO-92

Plastic Package

AF Output Amplifier

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC)

CSB621A

DESCRIPTION

SYMBOL

CSB621

UNITS

V_CEO

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Peak

Collector Current

V_CBO

V_EBO

I_CP

5.0

1.5

1.0

750

I_C

Power Dissipation @ T_a=25ºC

*P_C

ºC

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

- 55 to +150

ºC

*P_C=600mW/Potting type: P_C=600mW

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNITS

I_CBO

V_CB=20V, I_E= 0

Collector Cut off Current

Collector Base Voltage

0.1

V_CBO

I_C=10mA, I_E=0

CSB621

CSB621A

V_CEO

I_C=2mA, I_B=0

Collector Emitter Voltage

CSB621

CSB621A

I_E=10mA, I_C=0

V_EBO

*h_FE

Emitter Base Voltage

DC Current Gain

V_CE=10V, I_C=500mA

V_CE=5V, I_C=1A

340

h_FE

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C=500mA, I_B=50mA

Collector Emitter Saturation Voltage

0.4

1.2

Base Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

Output Capacitance

f_T

C_ob

I_C=50mA, V_CE=10V

I_E=0, V_CB=10V,f=1MHz

200

MHz

*h_FEClassifications

Q : 85 - 170

R : 120 - 240

S : 170 - 340

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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