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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CSB631KD | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| CSB631KE | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| CSB631KF | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
|
| CSB649 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| CSB649A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| CSB649AB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| CSB649AC | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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| CSB649B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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| CSB649C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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| CSB649D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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