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CR05AS-4C

更新时间： 2024-02-08 04:00:57

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	87K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),SOT-89

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CR05AS-4C 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大直流栅极触发电流：	0.1 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	3 mA
最大漏电流：	0.1 mA	通态非重复峰值电流：	10 A
最大通态电压：	1.9 V	最大通态电流：	500 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CR05AS-4C 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR THYRISTOR

CR05AS

LOW POWER USE

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min.

—

0.2

Typ.

—

Max.

0.1

1.9

0.8

—

IRRM

Repetitive peak reverse current

Repetitive peak off-state current

On-state voltage

Tj=125°C, VRRM applied

IDRM

VTM

VGT

VGD

IGT

Tj=125°C, VDRM applied, RGK=1kΩ

Ta=25°C, ITM=1.5A, instantaneous value

—

✽4

—

Gate trigger voltage

Ta=25°C, VD=6V, IT=0.1A

—

Gate non-trigger voltage

Gate trigger current

Tj=125°C, VD=1/2VDRM, RGK=1kΩ

✽3

✽4

—

100

µA

°C/W

Tj=25°C, VD=6V, IT=0.1A

—

Holding current

Tj=25°C, VD=12V, RGK=1kΩ

✽2

—

Rth (j-a)

Thermal resistance

Junction to ambient

✽2. Soldering with ceramic plate (25mm × 25mm × t0.7).

✽3. If special values of IGT are required, choose at least two items from those listed in the table below. (Example: AB, BC)

Item

IGT (µA)

1 ~ 30

20 ~ 50

40 ~ 100

The above values do not include the current flowing through the 1kΩ resistance between the gate and cathode.

✽4. IGT, VGT measurement circuit.

60Ω

IGT

TUT

1kΩ

SWITCH

SWITCH 1 : IGT measurement

SWITCH 2 : VGT measurement

(Inner resistance of voltage meter is about 1kΩ)

PERFORMANCE CURVES

MAXIMUM ON-STATE CHARACTERISTICS

RATED SURGE ON-STATE CURRENT

10²

Ta = 25°C

10¹

10⁰

10^–1

10⁰

3 4 5 7 10¹

3 4 5 7 10²

ON-STATE VOLTAGE (V)

CONDUCTION TIME

(CYCLES AT 60Hz)

Jan.2000

1 234 5 6

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