CR05AS-8B

更新时间： 2024-11-30 12:59:15

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
9页	154K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CR05AS-8B 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最大直流栅极触发电流：	0.05 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	10 A	最大通态电压：	1.9 V
最大通态电流：	500 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CR05AS-8B 数据手册

CR05AS-8

Thyristor

Low Power Use

REJ03G0348-0300

Rev.3.00

Mar 22, 2007

Features

•

I_{T (AV)}: 0.5 A

V_DRM: 400 V

•

Non-Insulated Type

Planar Passivation Type

_GT: 100 µA

Outline

RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A

RENESAS Package code: P

LZZ0004

CB-A

(

Package name: UPAK)

(

Package name: SOT-89)

2, 4

1. Cathode

2. Anode

3. Gate

4. Anode

Applications

Solid state relay, strobe flasher, igniter, and hybrid IC

Maximum Ratings

Voltage class

Parameter

Symbol

Unit

8 (Mark CD)

400

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

DC reverse voltage

Repetitive peak off-state voltage^Note1

DC off-state voltage^Note1

V_RRM

V_RSM

500

V_{R (DC)}

V_DRM

320

400

V_{D (DC)}

320

REJ03G0348-0300 Rev.3.00 Mar 22, 2007

Page 1 of 8

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与CR05AS-8B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CR05AS-8-BC	RENESAS	获取价格	0.79 A, 400 V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05AS-8-BC-T13	RENESAS	获取价格	0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05AS-8C	RENESAS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89
CR05AS-8-ET14	RENESAS	获取价格	Thyristor Low Power Use
CR05AS-8-ET24	RENESAS	获取价格	Thyristor Low Power Use
CR05AS-8-T13	RENESAS	获取价格	0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05BM-12A	RENESAS	获取价格	600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use
CR05BM-12A-A6B00	RENESAS	获取价格	600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use
CR05BM-12AB00	RENESAS	获取价格	600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use
CR05BM-12A-DA6B00	RENESAS	获取价格	600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use