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CR05AS8B

更新时间: 2024-11-30 20:01:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 栅极
页数 文件大小 规格书
5页 274K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 400V V(DRM)

CR05AS8B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84最大直流栅极触发电流:0.05 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:3 mA
最大漏电流:0.1 mA通态非重复峰值电流:10 A
最大通态电流:500 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CR05AS8B 数据手册

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与CR05AS8B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR05AS-8B RENESAS

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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89
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0.79 A, 400 V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05AS-8-BC-T13 RENESAS

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0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05AS-8C RENESAS

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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89
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Thyristor Low Power Use
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0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05BM-12A RENESAS

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600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use
CR05BM-12A-A6B00 RENESAS

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600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use
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600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use