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CR05AS-8-AB-T13

更新时间： 2024-01-02 08:53:53

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	90K
描述
0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN

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CR05AS-8-AB-T13 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.67	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.05 mA
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.79 A
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CR05AS-8-AB-T13 数据手册

CR05AS-8

Thyristor

Low Power Use

REJ03G0348-0200

Rev.2.00

Mar.01.2005

Features

•

I_{T (AV)}: 0.5 A

V_DRM: 400 V

•

Non-Insulated Type

Planar Passivation Type

_GT: 100 µA

Outline

PLZZ0004CB-A

(Package name: SOT-89)

2, 4

1. Cathode

2. Anode

3. Gate

4. Anode

Applications

Solid state relay, strobe flasher, igniter, and hybrid IC

Maximum Ratings

Voltage class

Parameter

Symbol

Unit

8 (Mark CD)

400

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

DC reverse voltage

Repetitive peak off-state voltage^Note1

DC off-state voltage^Note1

V_RRM

V_RSM

500

V_{R (DC)}

V_DRM

320

400

V_{D (DC)}

320

Rev.2.00, Mar.01.2005, page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

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与CR05AS-8-AB-T13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CR05AS8B	MITSUBISHI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 500mA I(T), 400V V(DRM)
CR05AS-8B	RENESAS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89
CR05AS-8-BC	RENESAS	获取价格	0.79 A, 400 V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05AS-8-BC-T13	RENESAS	获取价格	0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05AS-8C	RENESAS	获取价格	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-89
CR05AS-8-ET14	RENESAS	获取价格	Thyristor Low Power Use
CR05AS-8-ET24	RENESAS	获取价格	Thyristor Low Power Use
CR05AS-8-T13	RENESAS	获取价格	0.79A, 400V, SCR, SC-62, 3 PIN
CR05BM-12A	RENESAS	获取价格	600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use
CR05BM-12A-A6B00	RENESAS	获取价格	600V - 0.5A - Thyristor Low Power Use