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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CR02AM-8AAB
CR02AM-8AAB PDF预览

CR02AM-8AAB

更新时间： 2024-10-27 13:07:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN

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CR02AM-8AAB 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.83
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CR02AM-8AAB 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR THYRISTOR  
CR02AM-8A  
LOW POWER USE  
GLASS PASSIVATION TYPE  
Dimensions  
CR02AM-8A  
OUTLINE DRAWING  
in mm  
φ5.0 MAX  
4.4  
VOLTAGE  
2
1
CLASS  
TYPE  
NAME  
3
T
T
1
2
TERMINAL  
TERMINAL  
1
2
3
GATE TERMINAL  
CIRCUMSCRIBE  
CIRCLE  
1.25 1.25  
φ0.7  
1
3
2
• IT (AV) ........................................................................0.3A  
• VDRM ....................................................................... 400V  
• IGT .........................................................................100µA  
JEDEC : TO-92  
APPLICATION  
Strobe flasher  
MAXIMUM RATINGS  
Voltage class  
Symbol  
Parameter  
Unit  
8
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
400  
500  
320  
400  
320  
V
V
V
V
V
VRSM  
VR (DC)  
VDRM  
✽1  
✽1  
Repetitive peak off-state voltage  
DC off-state voltage  
VD (DC)  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current  
Average on-state current  
Surge on-state current  
Conditions  
Ratings  
0.47  
0.3  
Unit  
A
IT (RMS)  
IT (AV)  
ITSM  
Commercial frequency, sine half wave, 180° conduction, Ta=30°C  
A
60Hz sine half wave 1 full cycle, peak value, non-repetitive  
10  
A
Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state  
current  
2
2
2
I t  
I t for fusing  
0.4  
A s  
PGM  
PG (AV)  
VFGM  
VRGM  
IFGM  
Tj  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Peak gate forward voltage  
Peak gate reverse voltage  
Peak gate forward current  
Junction temperature  
0.1  
W
W
V
0.01  
6
6
V
0.1  
A
–40 ~ +125  
–40 ~ +125  
0.23  
°C  
°C  
g
Tstg  
Storage temperature  
—
Weight  
Typical value  
✽1. With gate to cathode resistance RGK=1kΩ.  
Feb.1999  
12345

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与CR02AM-8AAB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR02AM-8AAC MITSUBISHI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN
CR02AM-8AB MITSUBISHI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN
CR02AM-8-AB RENESAS

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 		0.47A, 400V, SCR, TO-92, SC-43A, 3 PIN
CR02AM-8ABC MITSUBISHI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN
CR02AM-8-AB-TB RENESAS

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 		0.47A, 400V, SCR, TO-92, SC-43A, 3 PIN
CR02AM-8-AC RENESAS

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 		暂无描述
CR02AM-8-AC-A6 RENESAS

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 		0.47 A, 400 V, SCR, TO-92, TO-92, 3 PIN
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 		0.47A, 400V, SCR, TO-92, TO-92, 3 PIN
CR02AM8B MITSUBISHI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 300mA I(T), 400V V(DRM)
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