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CPT20080D

更新时间: 2024-11-02 20:42:43
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 147K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 80V V(RRM), Silicon,

CPT20080D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-XUFM-X2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.57
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE AND CATHODE配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.86 VJESD-30 代码:R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流:2000 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:80 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CPT20080D 数据手册

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