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CPT20125D

更新时间: 2024-11-02 19:47:31
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon,

CPT20125D 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PUFM-X2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.75
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:POWER
外壳连接:ANODE AND CATHODE配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.68 VJESD-30 代码:R-PUFM-X2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:2000 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向电流:4000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

CPT20125D 数据手册

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