生命周期: | Active | 包装说明: | R-PUFM-X2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | REVERSE ENERGY TESTED | 应用: | POWER |
外壳连接: | ANODE AND CATHODE | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.68 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-X2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 2000 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 100 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 50 V | 最大反向电流: | 4000 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CPT20130 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod | |
CPT20130_10 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod | |
CPT20130D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 30V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
CPT20135 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod | |
CPT20135A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
CPT20135D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
CPT20140 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod | |
CPT20145 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod | |
CPT20145D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 45V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 | |
CPT20230 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod |