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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CPT20135A
CPT20135A PDF预览

CPT20135A

更新时间： 2024-11-02 13:07:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 119K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2

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CPT20135A 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-XUFM-X2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.92
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：ANODE配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X2最大非重复峰值正向电流：2000 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

CPT20135A 数据手册

 浏览型号CPT20135A的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky PowerMod  
CPT20130 - CPT20145  
A
Dim. Inches  
Millimeters  
R
Min.  
Max. Notes  
Max. Min.  
G
Baseplate  
A=Common Anode  
---  
17.78  
---  
92.20  
20.32  
A ---  
B 0.700  
C ---  
E 0.120  
F 0.490  
3.630  
0.800  
0.630  
0.130  
0.510  
B
16.00  
3.30  
12.95  
3.05  
12.45  
Q
N
W
1.375 BSC  
G
34.92 BSC  
Baseplate  
0.25  
---  
6.99  
H 0.010  
N ---  
Q 0.275  
---  
---  
0.290  
---  
---  
7.37  
Common Cathode  
1/4-28  
Dia.  
F
U
U
R
80.01 BSC  
3.150 BSC  
15.24  
7.92  
4.57  
---  
8.64  
4.95  
U 0.600  
V 0.312  
W 0.180  
---  
0.340  
0.195  
C
Baseplate  
D=Doubler  
H
Dia.  
Notes:  
Baseplate: Nickel plated  
copper  
V
E
Microsemi  
Catalog Number Part Number  
Industry  
Working Peak Repetitive Peak  
Reverse Voltage Reverse Voltage  
CPT20130*  
CPT20135*  
MBR20030CT  
30V  
35V  
30V  
35V  
Schottky Barrier Rectifier  
Guard Ring Protection  
200CNQ035  
224CNQ035  
MBR20035CT  
200 Amperes/30 to 45 Volts  
150° C Junction Temperature  
Reverse Energy Tested  
ROHS Compliant  
CPT20140*  
CPT20145*  
40V  
45V  
40V  
45V  
200CNQ040  
224CNQ040  
MBR20040CT  
200CNQ045  
224CNQ045  
MBR20045CT  
*Add Suffix A for Common Anode, D for Doubler  
Electrical Characteristics  
I
I
I
I
V
V
T
T
R
R
200 Amps  
100 Amps  
2000 Amps  
2 Amps  
0.68 Volts  
0.64 Volts  
1100mA  
C = 99°C, Square wave, 0JC = .20°C/W  
F(AV)  
F(AV)  
FSM  
R(OV)  
FM  
Average forward current per pkg  
Average forward current per leg  
Maximum surge current per leg  
C = 99°C, Square wave, 0JC = .40°C/W  
T
8.3ms, half sine, J = 125°C  
f = 1 KHZ, 25°C  
Maximum repetitive reverse current per leg  
I
I
T
FM = 200A: J = 25°C*  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak reverse current per leg  
Max peak reverse current per leg  
T
FM = 200A: J = 125°C*  
FM  
RM  
I
I
V
V
T
RRM, J = 125°C*  
T
RRM, J = 25°C  
4.0mA  
RM  
C
V
T
5500pF  
R = 5.0V, C = 25°C  
Typical junction capacitance  
J
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
T
R
R
Storage temp range  
STG  
J
OJC  
OCS  
-55°C to 150°C  
-55°C to 150°C  
0.40°C/W Junction to case  
0.08°C/W Case to sink  
Operating junction temp range  
Max thermal resistance per leg  
Typical thermal resistance (greased)  
Terminal Torque  
Mounting Base Torque (outside holes)  
Mounting Base Torque (center hole)  
center hole must be torqued first  
35-50 inch pounds  
30-40 inch pounds  
8-10 inch pounds  
Weight  
2.8 ounces (75 grams) typical  
www.microsemi.com  
January, 2010 - Rev. 4  
12

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与CPT20135A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPT20135D MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2
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CPT-2064-L100 CUI

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 		PIEZO ELEMENT

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