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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | REVERSE ENERGY TESTED |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE AND CATHODE |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.68 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2000 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 100 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 45 V |
| 最大反向电流： | 4000 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CPT20125 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20125A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20125D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20130 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod |
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| CPT20130_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky PowerMod |
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| CPT20130D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 30V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| CPT20135 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod |
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| CPT20135A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| CPT20135D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| CPT20140 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky PowerMod |
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